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    關(guān)鍵詞:碳化硅涂層爐化學(xué)氣相沉積爐碳化硅沉積爐
    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)
    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)
    產(chǎn)品描述:
    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等
    應用范圍:
    外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等

    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)技術(shù)特征

    采用先進(jìn)的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內沉積氣流穩定,壓力波動(dòng)范圍??;

    全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;

    多通道工藝氣路,流場(chǎng)均勻,無(wú)沉積死角,沉積效果好;

    多級高效尾氣處理系統,能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;

    可選配新設計的防腐蝕真空機組,持續工作時(shí)間長(cháng),維修率極低;

    使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。

    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)產(chǎn)品規格

    參數\型號HCVD-060609-SICHCVD-101015-SICVCVD-121220-SICHCVD-151530-SICHCVD-252035-SIC
    工作區尺寸W×H×L(mm) 600×600×900 1000×1000×1500 1200×1200×2000 1500×1500×30002500×2000×3500
    最高溫度(℃) 1500 1500 1500 15001500
    溫度均勻性(℃) ±7.5 ±7.5 ±10 ±10±10
    極限真空度(Pa) 1-100 1-100 1-100 1-1001-100
    壓升率(Pa/h) 0.67 0.67 0.67 0.670.67
    加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻

    以上參數可根據工藝要求進(jìn)行調整,不作為驗收依據,具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準。

    臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)配置選擇

    結構形式:臥式-單開(kāi)門(mén)/雙開(kāi)門(mén);立式-上出料/下出料

    爐門(mén)鎖緊方式:手動(dòng)/自動(dòng)

    爐殼材質(zhì):內層不銹鋼/全不銹鋼

    保溫材質(zhì):碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈

    加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC/金屬

    熱電偶:K/N/C/S分度號

    真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組

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    碳基復合材料熱工裝備

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