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    頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長(cháng)技術(shù)交流會(huì )

    發(fā)布時(shí)間:2024-04-25發(fā)布人:瀏覽: 次
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    頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長(cháng)技術(shù)交流會(huì ) (2).jpg

    頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長(cháng)技術(shù)交流會(huì ) (1).jpg

    4月25日,由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì )暨第三代半導體SiC晶體生長(cháng)技術(shù)交流會(huì )“在蘇州隆重召開(kāi)。頂立科技受邀參會(huì )。

    頂立科技憑借材料工藝與熱工裝備高度鍥合的技術(shù)優(yōu)勢,攻克了第三代半導體碳化硅、氨化鎵“單晶生長(cháng)用原材料和熱場(chǎng)材料的關(guān)鍵制備技術(shù),研制的高純碳粉、高純石墨、高純碳纖維保溫材料和碳化硅/碳化鉭涂層石墨構件等,性能指標達國際領(lǐng)先水平,主要應用于航空航天、新能源、電子電器、光伏等領(lǐng)域。

    碳化鉭涂層構件.jpg


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