1月25日，湖南省第十三屆人民代表大會(huì )第四次會(huì )議在長(cháng)沙召開(kāi)，會(huì )上，省委副書(shū)記、代省長(cháng)毛偉明作政府工作報告。

報告提出，以改革創(chuàng )新為根本動(dòng)力，全面厚植發(fā)展新優(yōu)勢，堅持高水平的自立自強、以創(chuàng )新激發(fā)動(dòng)能，搶占產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、平臺制高點(diǎn)，形成贏(yíng)得未來(lái)的核心競爭力，強化優(yōu)勢特色領(lǐng)域和顛覆性前沿技術(shù)領(lǐng)域布局，今年要緊盯制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域、引領(lǐng)未來(lái)發(fā)展的核心技術(shù)，抓住“卡鏈處”“斷鏈點(diǎn)”，重點(diǎn)抓好十大技術(shù)攻關(guān)項目，打好關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅戰。

頂立科技承擔的第三代半導體材料研究項目列入政府工作報告“重點(diǎn)抓好十大技術(shù)攻關(guān)項目”。

當前，以第三代半導體材料為基礎的新興技術(shù)正迅速崛起，其技術(shù)及應用的突破成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰略高地，以碳化硅、氮化鎵寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場(chǎng)前景，成為全球半導體市場(chǎng)爭奪的焦點(diǎn)。

近年來(lái)，湖南在加速布局以第三代半導體材料為核心的新一代半導體產(chǎn)業(yè)，預計通過(guò)5到10年，將長(cháng)沙打造成新一代半導體材料產(chǎn)業(yè)集群核心地帶。

頂立科技憑借材料工藝與熱工裝備有機結合的技術(shù)優(yōu)勢，圍繞國家所需第三代寬禁帶半導體氮化鎵單晶和碳化硅單晶用“四高”“兩涂”材料的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)進(jìn)行攻關(guān)，歷時(shí)三年，取得了重大突破，將為我省新一代半導體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供有力支撐。

頂立科技瞄準國家戰略前沿技術(shù)和關(guān)鍵瓶頸領(lǐng)域，聚合校、企科技創(chuàng )新資源協(xié)同攻關(guān)，提升自主創(chuàng )新能力，與國防科技大學(xué)、中南大學(xué)、湖南大學(xué)等高校建立了深入的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系；與香港城市大學(xué)就“4D打印AION/AIN陶瓷粉末及制品關(guān)鍵技術(shù)”進(jìn)行研究合作，并共建“香港城市大學(xué)先進(jìn)結構材料及增材制造湖南技術(shù)轉移中心”；為聚焦研發(fā)創(chuàng )新，與中科院等院校合作，成立了湖南中科頂立技術(shù)創(chuàng )新研究院；公司擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省院士專(zhuān)家工作站”、“湖南省國防重點(diǎn)實(shí)驗室”、“湖南省工程實(shí)驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng )新平臺；擁有專(zhuān)利近400項，其中發(fā)明專(zhuān)利200余項；榮獲省部級科技獎勵14項（其中湖南省技術(shù)發(fā)明一等獎1項、中國有色科技進(jìn)步一等獎1項、湖南省國防科技進(jìn)步一等獎2項）；高水平的創(chuàng )新團隊、不斷涌現的先進(jìn)成果為頂立科技的可持續創(chuàng )新發(fā)展提供了重要保障。

2021年，是國家“十四五”規劃的開(kāi)局之年，是我國現代化建設進(jìn)程中具有特殊重要意義的一年，頂立科技將積極響應總書(shū)記考察湖南時(shí)提出的“三高四新”戰略，著(zhù)力解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡鏈處”“斷鏈點(diǎn)”，持續提升技術(shù)創(chuàng )新能力，做好我國材料產(chǎn)業(yè)鏈的守鏈人，為打造國家重要先進(jìn)制造業(yè)高地、為建設世界科技強國貢獻力量。