一、C_f/SiC復合材料的特點(diǎn)

C_f/SiC復合材料是指由碳纖維作為增強體，碳化硅作為連續基體的一類(lèi)新型復合材料。C_f/SiC復合材料不僅具有高性能陶瓷的高強度、高模量、高硬度、耐沖擊、抗氧化、耐高溫、耐酸堿、熱膨脹系數小、比重輕等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還克服了一般陶瓷材料的脆性大、功能單一等缺點(diǎn)，是公認的理想高溫結構材料和摩擦材料之一。

二、C_f/SiC復合材料的主要應用

1. 航空航天領(lǐng)域：

- 航空器件構件：包括機翼、機身、尾翼等，能夠提供高強度、輕量化和耐久性能。

- 發(fā)動(dòng)機部件：如渦輪葉片、噴口導向葉片等，要求具備高溫、高壓和抗腐蝕能力。

- 航天器零部件：如熱防護層、結構件等，能夠在極端的高溫和高速環(huán)境中保持結構完整。

2. 汽車(chē)工業(yè)：

- 車(chē)身結構：使用Cf/SiC復合材料可以降低車(chē)身重量，提高車(chē)輛的燃油效率和操控性能。

- 剎車(chē)系統：由于Cf/SiC復合材料具有優(yōu)異的耐熱性和耐磨性，可以提供更好的剎車(chē)性能和耐久性。

- 排氣系統：Cf/SiC復合材料能承受高溫和高壓，廣泛應用于制造高性能排氣管。

3. 能源領(lǐng)域：

- 燃氣渦輪發(fā)電機：用于制造渦輪葉片，以提高發(fā)電機的效率和耐久性。

三、C_f/SiC復合材料的制備方法

目前，C_f/SiC復合材料的制備方法主要包括如下幾種：

1、化學(xué)氣相滲透沉積法（CVI）：該方法是在高溫下通過(guò)硅有機物裂解產(chǎn)生的氣體沉積到預制體內部形成C_f/SiC復合材料，其缺點(diǎn)是制備周期長(cháng)，沉積陶瓷基體均勻性差，制備成本高。

2、先驅體浸漬裂解法（PIP）：該方法是采用聚合物硅烷作為先驅體浸漬到多孔的纖維預制體中然后高溫裂解原位生成陶瓷基體，經(jīng)過(guò)多次處理最終得到C_f/SiC復合材料，其缺點(diǎn)是制備周期長(cháng)，碳化硅在纖維上的附著(zhù)力較差導致摩擦磨損過(guò)程中磨耗大。

3、熔融滲硅法（LSI）：該方法是在高溫下將硅粉熔融，通過(guò)毛細作用滲透到碳纖維預制體中，然后與碳預制體中的熱解碳反應生成碳化硅最終得到C_f/SiC復合材料。該方法簡(jiǎn)單、快捷、成本較低，但存在著(zhù)碳化硅顆粒粗大且分布不均勻，熔體硅不但與沉積碳反應也與碳纖維反應導致材料整體力學(xué)性能下降，且多余的硅影響C_f/SiC復合材料的穩定性和高溫性能等缺點(diǎn)。

四、C_f/SiC復合材料工藝流程

氣相沉積工藝（CVI/CVD工藝）

氣相沉積+浸漬/裂解工藝（CVI+PIP工藝）

氣相沉積+滲硅工藝（CVI+LSI工藝）

五、C_f/SiC復合材料制備關(guān)鍵裝備

①　化學(xué)氣相沉積爐（碳CVI界面）

炭界面制備沉積爐主要用于碳纖維、碳化硅纖維及其編織預制件等的炭界面層制備。

②　化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅CVI界面/CVD涂層）

碳化硅CVI/CVD沉積爐主要用于碳纖維、碳化硅纖維及其編織預制件等的碳化硅界面層/滲透增密制備。

③　真空壓力浸漬固化爐（PCS浸漬）

真空壓力浸漬爐主要用于碳基、陶瓷基復合材料浸漬瀝青、樹(shù)脂、聚碳硅烷等材料的壓力浸漬工藝。

④　真空裂解爐（PCS裂解）

真空裂解爐主要用于碳陶復合材料、陶瓷基復合材料、碳化硅纖維的高溫裂解工藝。

⑤　熔融滲硅爐(滲硅)

熔融滲硅爐主要用于碳碳復合材料、陶瓷基復合材料的液相滲硅陶瓷化處理。

六、頂立科技Cf/SiC復合材料熱工裝備技術(shù)特征

1. 1采用多溫區獨立控溫，溫度均勻性好；

2. 2采用智能壓力調控，沉積壓力波動(dòng)??；

3. 3采用頂立科技專(zhuān)屬超高溫、大電流引電技術(shù)，能在高溫條件下長(cháng)時(shí)間穩定使用，也可采用感應加熱方式； 

4. 4采用全封閉沉積室/馬弗室，密封效果好，抗污染能力強； 

5. 5采用多通道工藝氣路，流場(chǎng)均勻，無(wú)沉積死角，沉積效果好； 

6. 6采用多級高效尾氣處理系統，環(huán)境友好，易清理。